收藏本站
Si8447DB
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
15
V GS = 5 V thr u 3 V
5
T C = 125 °C
12
9
6
V GS = 2.5 V
V GS = 2 V
4
3
2
T C = 25 °C
3
0
V GS = 1.5 V
1
0
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0.350
0.300
0.250
0.200
0.150
0.100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS = 1.7 V
V GS = 2.5 V
1000
8 00
600
400
200
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
C oss
0.050
0.000
V GS = 4.5 V
0
C rss
0
3
6
9
12
15
0
4
8
12
16
20
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
1.4
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 1 A
1.3
I D = 1 A
V GS = 4.5 V
8
6
4
V DS = 10 V
V DS = 16 V
1.2
1.1
1.0
V GS = 2.5 V
0.9
2
0. 8
0
0.7
0
4
8
12
16
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
www.vishay.com
4
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 64802
S-09-0664-Rev. A, 20-Apr-09
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI8461DB-T2-E1 MOSFET P-CH D-S 20V MICROFOOT
SI8465DB-T2-E1 MOSFET P-CH D-S 20V MICROFOOT
SI8800EDB-T2-E1 MOSFET N-CH D-S 20V MICROFOOT
SI9407BDY-T1-E3 MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC
SI9433BDY-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC
SI9933CDY-T1-E3 MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
SIA406DJ-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 12V SC-70-6
SIA421DJ-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6
相关代理商/技术参数
SI84-4R7L 制造商:DELTA 制造商全称:Delta Electronics, Inc. 功能描述:SMT Power Inductor
SI8450AA-A-IS1 功能描述:隔离器接口集成电路 5 Ch 1.0kV Isolator 1M 5/0 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
Si8450AA-A-IS1R 功能描述:隔离器接口集成电路 5 Ch 1.0kV Isolator 1M 5/0 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
Si8450AA-B-IS1 功能描述:隔离器接口集成电路 5 Ch 1.0kV Isolator 1M 5/0 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
SI8450AA-B-IS1R 功能描述:隔离器接口集成电路 5 Ch 1.0kV Isolator 1M 5/0 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
SI8450AB-A-IS1 功能描述:隔离器接口集成电路 5 Ch 2.5kV Isolator 1M 5/0 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
Si8450AB-A-IS1R 功能描述:隔离器接口集成电路 5 Ch 2.5kV Isolator 1M 5/0 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
Si8450AB-B-IS1 功能描述:隔离器接口集成电路 5 Ch 2.5kV Isolator 1M 5/0 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube